Arm公司和三星公司本周宣布了针对Arm下一代Cortex通用CPU内核以及三星下一代工艺技术（采用全栅极GAA多桥沟道场效应晶体管MBCFET）的联合设计技术共同优化（DTCO）计划。
根据该计划，两家公司的目标是为各种应用（包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统）提供基于三星 2 纳米级工艺技术的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 内核。
目前，这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代 2 纳米生产节点 SF2（将于 2025 年推出）共同优化 Arm 的 Cortex 内核，还是计划为所有 SF2 系列技术（包括 SF2 和 SF2P）优化这些内核。
