极紫外光刻

电脑知识网11月2日消息，美国半导体初创企业Substrate近期抛出重磅消息，宣称已研发出基于X光的新型曝光技术，其解析度能与荷兰ASML最先进的EUV光刻机匹敌，而后者单台造价就超过4亿美元。 Substrate还明确将在美国自建晶圆代工厂，直接瞄准台积电在AI芯片代工领域的主导地位，意图与ASML、台积电形成双重竞争。 从技术细节来看，Substrat…

电脑知识网11月1日消息，前几天网络曝出台积电21年资深高管罗唯仁要跳槽去Intel公司的消息，虽然他已经于7月份从台积电退休，但此事依然引发业界关注。 究其原因，就是罗唯仁虽然已经是75岁高龄，但他的地位和经验依然很重要，跳槽去了与台积电有竞争的公司，而且还是美国半导体巨头，这会让台积电相当难办。 罗唯仁早在1996年就是Intel工艺研发的骨干之一，20…

电脑知识网9月29日消息，半导体工艺越先进，对光刻机的需求就越高，5nm以下量产更少不了EUV光刻机，目前全球只有ASML公司能供应，台积电、三星、Intel等公司都会向他们下降。 那么这些巨头中谁拥有的EUV光刻机最多呢？调研机构BOFA公布了2021到2025年为止的EUV光刻机数量，如下所示： 作为全球最大同时先进工艺量产最多的晶圆代工厂，台积电这几年…

电脑知识网9月8日消息，EUV光刻机是制造5nm以下工艺的关键设备，同样重要的还有EUV光刻胶，现在无锡宣布国内首个掌握EUV光刻胶核心技术的平台启动了。 来自无锡政府网站的消息，9月4日2025集成电路（无锡）创新发展大会开幕。 本次大会上宣布了多个重磅项目，除了算力平台外，还有2个值得关注的——无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线…

电脑知识网7月24日消息，据清华大学官网介绍，日前，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。 随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，13.5nm波长的EUV光刻成为核心技术。 但EUV光源反射损耗大、亮度低，对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控…

电脑知识网7月2日消息，据媒体报道，2023年末ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，业界普遍认为，High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。 不过这种情况最近似乎发生了变化，各个晶圆代工厂都在减少对High-NA EUV依赖，并且延后引入新技术的时间。 近日投资机构下调ASML目标股价，从每股795…

电脑知识网5月30日消息，大家都知道，当下先进工艺（尤其是7nm以下），基本都依赖ASML的EUV极紫外光刻机。 按照传统认知，没有EUV就造不出先进工艺，那有没有其他办法呢。 前段时间，世界上就有一种“特殊”5nm的消息传出，它是怎么来的呢？ 有报道称，这种5nm采用了完全不一样的技术路线，避开了EUV光刻机的依赖，采用一种步进扫描…

电脑知识网4月14日消息，Intel前任CEO帕特·基辛格已经找到了新工作！本人亲自宣布，已经加盟xLight担任执行董事长。 xLight是一家半导体行业创业公司，主要业务室面向EUV极紫外光刻机，开发基于直线电子加速器的自由电子激光(FEL)技术光源系统，可显著降低成本。 目前的ASML EUV光刻机使用的是激光等离子体EUV光源(LPP)…

8月7日消息，近日日本冲绳科学技术大学（OIST）的Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一项全新、大幅简化的面向极紫外（EUV）光刻机的双反射镜系统。 相比传统的至少需要六面反射镜的配置，新的光学投影系统仅使用了两面反射镜，在确保系统维持较高的光学性能的同时，能让EUV光线以超过初始值10%的功率到达晶圆，相比传统系统中仅1%的功率来说，…

叮当号8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。 High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。 帕特·基辛格表示，第二台Hi…