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NAND闪存制造商2025下半年集体减产 存储芯片涨价难刹车
电脑知识网11月13日消息,据媒体报道,三星、SK海力士、铠侠与美光四家主要NAND闪存制造商,已在2025年下半年共同采取减产措施,推动NAND闪存价格进一步上涨。可以说,当前SSD市场价格走高,是行业多方协同调控的结果。 去年以来,NAND闪存价格长期在成本线附近徘徊。为改善盈利,三星在与全球主要客户洽谈明年供应协议时,正考虑将价格上调20%至30%,部…
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美光首款太空认证NAND闪存发布:抗辐射能力突出 单颗容量达256Gb
电脑知识网7月23日消息,据媒体报道,美光正式推出业界最高密度、抗辐射能力突出的单层单元(SLC)NAND闪存,其为首款获得正式且完整太空认证的NAND。 该产品单颗芯片容量达256Gb,为首款进入其太空级存储器系列的产品。未来该系列还将推出太空级NOR与DRAM解决方案,目前产品已开始供应,领跑主要存储厂商太空级产品领域。 随着商业及政府太空任务的快速增长…
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惨淡开局!五大NAND闪存厂Q1营收暴跌近1/4!
电脑知识网5月29日消息,根据TrendForce的最新报道,2025年第一季度NAND Flash供应商面临库存压力和终端客户需求下滑的双重挑战,导致平均销售价格(ASP)环比下降15%,出货量减少7%。 尽管季末部分产品价格有所回升,但五大NAND Flash厂的最终营收合计120.2亿美元,环比下降近24%。 具体来看,三星继续保持市场第一的位置,但由…
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2025年Q1前五大NAND Flash品牌出炉:三星断层领先
TrendForce集邦咨询最新研究显示,2025年第一季,NAND Flash供应商处境艰难。 库存压力高企,终端客户需求下滑,致使平均销售价格(ASP)季减15%,出货量减少7%。前五大NAND Flash品牌厂营收合计仅120.2亿美元,季减近24%。 从主要供应商营收表现来看,三星仍位居首位,不过因Enterprise SSD需求降低,营收季减约25…
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SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒
本站 8 月 9 日消息,根据 sk 海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在 fms 2024 峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的 usf 4.1 通用闪存。根据 JEDEC 固态技术协会官网,目前已公布的最新 UFS
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为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路,泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0
本站 8 月 1 日消息,泛林集团 lam research 当地时间昨日宣布推出面向 3d nand 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 lam cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 sesha varadarajan 表示:la
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消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可,影响平泽 P4 工厂规划
本站 7 月 31 日消息,韩媒 zdnet korea 报道称,三星电子 v9 nand 闪存的 qlc 版本尚未获得量产许可,对平泽 p4 工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年 4 月宣布其 v9 nand 闪存的 1tb 容量
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业界最高 3.6GB/s 传输速率,美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产
本站 7 月 30 日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276 层)3d tlc nand 闪存量产出货。美光表示其 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率(即 3600MT/s 闪存接口速率),较 2
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AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
根据trendforce的调查报告显示,ai浪潮对dram内存和nand闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,trendforce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。
具体而言,TrendForce -
三星启动其首批第九代 V
本站 4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 v-nand 1tb tlc 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产