1c nm
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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
本站 5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议
本站 5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议
