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三星电子：4nm 节点良率趋于稳定，二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
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2年前 98
存储焦虑不只手机 还有PC
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2年前 93
铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样：最高1TB、封装尺寸更小
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2年前 92
消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化，整体产线利用率达九成
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2年前 108
美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存，同步发布 2500 固态硬盘
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2年前 105
美光宣布量产232层QLC NAND闪存：接口速度达2400MT/s 比上一代提高50%
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2年前 87
消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%，年内维持约 50% 规模上限
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2年前 79
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层
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2年前 120
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V
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2年前 106
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务
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2年前 102
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