闪存
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复旦大学突破史上最快闪存!每秒操作2500000000次
史上最快的闪存器件,复旦团队造! 其研发的皮秒闪存器件“破晓(PoX)”登上了Nature,擦写速度达到了亚纳秒级,比现有速度快1万倍。 并且数据不易丢失,按照实验外推结果,保存年限可达十年以上。 具体来看,基于一些新的发现,作者把传统闪存中的硅替换成了石墨烯等二维材料,制作出了这种亚纳(10^-9)秒级闪存器件。 在低至5V的编程电…
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史上最快存储速度!复旦大学研制出超高速闪存:未来电脑将不存在内外存概念
电脑知识网4月17日消息,日前,复旦大学宣布,时隔2周,继二维半导体芯片之后,复旦集成电路领域再获关键突破。 据介绍,复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型,在理论上预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限,研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件。 其擦写速度可提升至亚1纳秒(400皮秒),相当于每秒可执行25亿次操作,性能…
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刚刚收购Intel闪存:SK海力士在中国的第二座工厂不幸搁置
近期正式完成了对于Intel NAND业务部门收购的SK海力士正着手重组其在中国大连的工厂及相关资产。然而,SK海力士大约3年前开始计划建设的第二座NAND晶圆厂仍因投资保守而处于搁置状态,这也被外界解读为是受到了近两年来NAND行业不确定性的阻碍。 当地时间3月27日,随着最后一笔19亿美元的款项的支付,SK海力士正式完成了对于Intel NAND业务(已…
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美光、SK海力士跟随中!三星对内存、闪存产品提价3-5%:客户已开始谈判新合同
电脑知识网4月7日消息,据国外媒体报道称,三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。 在三星看来,“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨,预计2025年和2026年价格都会上涨。 一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示:去年全年供应过剩,但随着主要公司…
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低温狂飙 开启“芯”程 铠侠VIP俱乐部粉丝聚会北京站落幕
作为存储领域的领军企业,东芝存储早在1987年便成功推出了全球首款NAND闪存芯片。而在2019年,东芝存储正式更名为铠侠,虽然名字改变,但是其卓越的品质和稳定的性能却始终未变。2025年3月29日,自东芝存储更名为铠侠之后,第一次在北京召开了铠侠VIP俱乐部会员活动,现场吸引了大批的粉丝和行业知名up主。 铠侠电子(中国)有限公司 市场沟通部 高级总监十龟…
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替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片
叮当号9月20日消息,据媒体报道,长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下,已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。 长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层,即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比,也具有极强的竞争优势。 据悉,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓…
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西数将剥离SSD及NAND闪存业务:估值可达220亿美元
叮当号8月25日消息,据媒体报道,自2021年起西部数据和铠侠(Kioxia)就NAND闪存生产业务合并一直在谈判,不过最终因计划遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,加上铠侠的主要股东贝恩资本对于合并条款存在分歧,让西部数据选择中止谈判。 面对挑战,西部数据展现出了战略调整的决心与灵活性。在最新公布的2024财年第一财季财务报告中,公司正式宣布了一…
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海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造
8月9日消息,在fms 2024峰会上,sk海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的ufs 4.1通用闪存。
据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0,其理论接口速度高达46.4 -
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒
本站 8 月 9 日消息,根据 sk 海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在 fms 2024 峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的 usf 4.1 通用闪存。根据 JEDEC 固态技术协会官网,目前已公布的最新 UFS
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SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?
叮当号8月4日消息,据报道,SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存,将于2025年投入大规模量产,再次遥遥领先。 为了达成如此密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术,也就是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶圆键合在一起,和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。 这就涉及到了连接不同晶圆的各…