英飞凌
-
台积电退出 英飞凌推进：扩展GaN晶圆生产
电脑知识网7月7日消息，据媒体报道，英飞凌宣布其在12英寸（300mm）晶圆上的可扩展氮化镓（GaN）生产技术已成功步入正轨。公司计划于2025年第四季度开始向客户提供首批样品。 英飞凌强调，其作为垂直整合制造商（IDM）的生产策略，能够确保更高质量的产品、更快的上市时间以及出色的设计和开发灵活性。 公司掌握了在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）…
-
英飞凌扩大对国内氮化镓 GaN 企业英诺赛科专利诉讼，英诺赛科称有信心胜诉
本站 8 月 5 日消息，英飞凌于当地时间 7 月 23 日向美国加州北区地方法院追加诉讼请求，指控英诺赛科侵犯了英飞凌拥有的三项与氮化镓（gan）技术相关的专利，进一步加深了这两家重要 gan 企业间的专利冲突。▲ 英诺赛科氮化镓产品本站
