闪存

本站4月30日消息，三星电子在今日发布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望，本站整理如下：
系统 LSI
三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟，但晶圆厂的运营效率有一定提升。
技术方面，三星称其 3nm 和 2nm

存储空间容易告急的不只是手机，还有电脑！！！ 相较于手机，电脑的使用寿命通常更为长久。尤其对于个人使用的电脑，只要对性能要求不强，PC能够可靠稳定使用8-10年，甚至是更久。 不过，随着使用时间的增长，加之一些不良的使用习惯，C盘存储空间不足的问题常常出现。而对于那些存储了大量影视资源的用户来说，整个硬盘不够用也并非罕见。 那么，面对这样的问题，我们该如何应…

叮当号4月23日消息，铠侠宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。 据介绍，新闪存芯片提升了5G网络的利用率，从而加快了设备的下载速度，同时使延迟大幅降低，让用户的使用体验得到明显增强。 同时，更小的封装尺寸有助于节省电路板空间，提升电路板的利用率，让电路设计更加灵活从容。 新闪存芯片采用了铠侠的BiCS F…

根据韩媒etnews的报道，据业内人士称，三星电子近期已将nand产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。
本站注：对于三星电子的 NAND 业务，韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度，后者 3 月表示

本站 4 月 17 日消息，美光宣布其在业界率先推出 232 层 qlc nand 闪存。
该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。
美光

叮当号4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功实现232层QLC NAND闪存的量产，并已向特定关键SSD客户发货。这款革命性的闪存产品不仅面向消费级客户端，同时还将为企业级存储客户和OEM厂商提供强大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光强调，这款四层单元的NAND闪存新品代表了行业的一大突破，其层数和密度均达到前所未有的水平。这…

据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子本季度在韩国平泽和中国西安 nand 生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对增产持谨慎态度，以免影响到 nand 价格的涨势。
在马力全开的情况下，三星电子 NAND 闪存生产线季度晶圆投片

叮当号4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。 这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。 按照三星的规划，2025年下半…

本站 4 月 12 日消息，据韩媒 hankyung 报道，三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 v-nand 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的

根据日经xTECH报道，铠侠CTO宫岛英史在最近举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。
铠侠与西部数据携手开发 NA